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功率MOSFET寄生振荡的研究

2014-3-18 19:27| 发布者: dzly| 查看: 672| 评论: 0

摘要: 功率场效应晶体管(Power MOSFET)是一种多数载流子 导电的单极型电压控制器件,具有开关速度快、高频性能好、 输入阻抗高、驱动功率小和无二次击穿问题等显著特点。在 各类中小功率开关电路中应用极为广泛. 且在许多应用场 合,往往需要多个MOSFET并联使用。不过由于场效应管极 间电容、走线电感等因素的影响,栅极驱动信号会产生寄生 振荡,加大功率器件的损耗。当振荡幅值较大时,可能会直接 造成功率开关管损坏_l1。目前常用的解决方法是在M0SFET 关断时给栅极施加负压,以削弱寄生振荡的

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